12月20日，武漢東湖高新區(qū)（以下簡稱光谷）宣布投資50億元建設(shè)化合物半導(dǎo)體孵化加速及制造基地，選址九峰山實(shí)驗(yàn)室南面，計(jì)劃明年開工，后年投用。作為總部園區(qū)，力爭在3年內(nèi)引育企業(yè)100家。

據(jù)悉，九峰山實(shí)驗(yàn)室是湖北十大實(shí)驗(yàn)室之一，已建成化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)科研及中試平臺(tái)。該總部園區(qū)將利用九峰山實(shí)驗(yàn)室的工藝產(chǎn)線和檢測能力等資源，重點(diǎn)突破設(shè)計(jì)、設(shè)備、材料等產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

此外，光谷發(fā)布了九峰山科技園產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃，以九峰山實(shí)驗(yàn)室為核心，規(guī)劃建設(shè)九峰山科技園，打造化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地。根據(jù)規(guī)劃，到2035年，九峰山科技園全面建成，形成完整化合物半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈。目前已有天工芯測檢測中心項(xiàng)目、芯導(dǎo)傳能等6個(gè)項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)明確入駐上述園區(qū)意愿，潔凈室廠房需求達(dá)1.7萬平方米。除該總部園區(qū)外，圍繞九峰山科技園及周邊，光谷還布局了化合物半導(dǎo)體學(xué)院。

目前，以SiC、GaN為代表的第三代半導(dǎo)體材料因其優(yōu)異性能，得到了廣泛應(yīng)用，發(fā)展前景光明，各地政府紛紛出臺(tái)政策，大力支持相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

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近日，湖北省印發(fā)《湖北省新材料產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展三年行動(dòng)方案（2023—2025年）》，提出到2025年，湖北省將建成全國重要的化合物半導(dǎo)體研發(fā)生產(chǎn)基地等產(chǎn)業(yè)集群。

與此同時(shí)，河北印發(fā)通知，將實(shí)施若干措施加快第三代半導(dǎo)體等行業(yè)發(fā)展。其中包括：對(duì)被評(píng)定為國家制造業(yè)單項(xiàng)冠軍企業(yè)或單項(xiàng)冠軍產(chǎn)品的第三代半導(dǎo)體企業(yè)，給予200萬元一次性資金支持；在第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵芯片與器件、襯底和外延、光刻膠等領(lǐng)域組織實(shí)施一批技術(shù)改造項(xiàng)目，積極爭取將在建和擬建第三代半導(dǎo)體重點(diǎn)項(xiàng)目納入國家“十四五”重大項(xiàng)目儲(chǔ)備庫等。

據(jù)TrendForce集邦咨詢《2023 全球SiC功率半導(dǎo)體市場分析報(bào)告》數(shù)據(jù)顯示，2022年全球SiC功率市場規(guī)模約16.1億美元，至2026年可達(dá)到53.3億美元，CAGR達(dá)35%；2022年全球GaN功率市場規(guī)模約1.8億美元，至2026年可達(dá)13.3億美元，CAGR達(dá)65%。未來，在各方支持下，全國各地有望形成更多化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聚集區(qū)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）