2004年9月28日報道：位于美國紐約沃特佛利特(Watervliet)的AlN襯底開發(fā)商Crystal IS最近完成第一階段融資，獲得近500萬美元的風險投資。Crystal IS始建于1997年，創(chuàng)始人為RPI的物理學教授Glen Slack和Leo Schowalter。公司位于RPI(Rensselaer綜合技術研究所) luchbator中心。位于奧爾巴尼(紐約州首府)大學的奧爾巴尼NanoTech也為Crystal IS提供戰(zhàn)略輔助，包括咨詢下游半導體材料加工的能力。公司的投資方包括ARCH風險投資公司﹑JVP﹑3i﹑Harris & Harris集團，以及紐約當地投資家Walt Robb。

　　這個與PRI(Rensselaer綜合技術研究所)聯合的年輕而又具有創(chuàng)新能力的公司已經在生產超低缺陷密度的本征AlN(氮化鋁)單晶襯底方面取得重大的突破，目前氮化物單晶襯底逐漸在信號燈、軍事、生化、信息技術、無線通信、顯示照明等領域被廣泛應用。公司正在研發(fā)紫外LED和激光器﹑壓電傳感器﹑軍用大功率RF晶體管，以及白光照明器件，尤其是DARPA的SUVOS計劃中的深紫外LED。該公司還在研究用于紫外殺菌輻照、生物制劑與化學探測、白光照明及某些軍事應用(例如DARPA的SUVOS計劃的預期應用)的紫外LED及激光器﹑用于無線基站及某些軍事應用的大功率RF晶體管﹑以及下一代表面聲波(SAW)器件。（編輯FJ）