松下開發(fā)出GaN襯底大功率白光LED
摘要： 2007年3月2日，松下(Panasonic)宣布開發(fā)出使用GaN襯底的藍(lán)光LED芯片，其在350mA下的總輻射通量為355mW，外量子效率達(dá)38%。芯片樣品的供應(yīng)開始于三月初，單價(jià)為500日圓，三月中旬將量產(chǎn)基于這些芯片的大功率白光LED系列，這在業(yè)內(nèi)也是第一次。
2007年3月2日，松下(Panasonic)宣布開發(fā)出使用GaN襯底的藍(lán)光LED芯片，其在350mA下的總輻射通量為355mW，外量子效率達(dá)38%。芯片樣品的供應(yīng)開始于三月初，單價(jià)為500日圓，三月中旬將量產(chǎn)基于這些芯片的大功率白光LED系列，這在業(yè)內(nèi)也是第一次。
GaN襯底擁有良好的熱、電傳導(dǎo)性及晶體穩(wěn)定性，制備出的LED器件可靠性高，其在高電流區(qū)域內(nèi)的性能也得到大大提升。由于折射率(襯底)與發(fā)光層相同，GaN襯底LED芯片的光輸出效率是傳統(tǒng)藍(lán)寶石襯底LED的1.5倍多。在藍(lán)光LED芯片上涂敷均勻的熒光層可制備出顏色變化很小的大功率白光LED。
松下將生產(chǎn)三種型號的白光LED產(chǎn)品：LNJ090W3GRA(3W照明LED)、LNJ0H0V8KRA(反射型，最適于相機(jī)閃光燈)和LNJ0Y0F9KRA(點(diǎn)光源型，適用于尺寸超小的燈)。（編輯：PCL）
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