日立電線生產(chǎn)出3英寸GaN襯底 商業(yè)化推廣尚待研究
摘要： 2007年4月24日，日立電線株式會(huì)社（Hitachi Cable）確認(rèn)成功開(kāi)發(fā)產(chǎn)制出直徑3英寸的GaN襯底，對(duì)于LED產(chǎn)業(yè)將有正面助益。
2007年4月24日，日立電線株式會(huì)社(Hitachi Cable)確認(rèn)成功開(kāi)發(fā)產(chǎn)制出直徑3英寸的GaN襯底，對(duì)于LED產(chǎn)業(yè)將有正面助益。
日立電線公司表示，該襯底采用了「間隙形成剝離法(VAS:Void Assisted Separation)」技術(shù)。首先在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)GaN薄膜，再在GaN薄膜上沉積氮化鈦膜，然后將其放在混合氣體中加熱，使GaN分解，此時(shí)GaN薄膜與金屬膜的接觸面產(chǎn)生了間隙，接著氫化物氣相外延(HVPE)法在這層氮化鈦膜上生長(zhǎng)更厚的GaN膜。
其中，產(chǎn)生的空隙層不僅降低了由晶格常數(shù)不同引起的應(yīng)力效應(yīng)，還降低了GaN厚膜的缺陷密度和翹曲效應(yīng)的作用，晶體的質(zhì)量也得到提高，并允許自支撐、大尺寸GaN芯片的直接剝離。工藝目前仍處于研究階段，日立對(duì)其商業(yè)化的推廣還尚待研究，對(duì)于4英吋的襯底，公司也表示尚無(wú)明確計(jì)劃，還需針對(duì)客戶需求做更深入的了解。（編輯：ZQY）
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