2007年5月29日，加州大學圣地亞哥分校(UCSD)分離公司Quanlight稱其新材料技術(shù)將提高紅光LED的亮度和波長穩(wěn)定性、降低成本，公司剛在風險投資中[由Blackbird Ventures 和(SHW)2主持，Blackbird的執(zhí)行總裁成為Quanlight的CEO]獲得300萬美元的資金，這些錢足以將這一新技術(shù)由研發(fā)階段轉(zhuǎn)化為初始晶片生產(chǎn)。

　　Quanlight的技術(shù)基于一個摻有百分之幾氮的InGaNP材料系統(tǒng)，是通過在GaP襯底上進行假晶生長制得的，這一生長方式無需晶片鍵合。假晶生長意味著GaP和InGaNP之間存在著很小的晶格失配，但不足以在外延片中產(chǎn)生引起麻煩的應(yīng)力。

　　InGaNP的內(nèi)在特性要優(yōu)于被廣泛用于紅、黃、橙光LED的AlInGaP材料，這些特性包括更大的價帶偏移，并由此使器件擁有更好的波長穩(wěn)定性，在高電流密度及/或高溫下亮度更高。

　　摻氮方法之前也曾用于商業(yè)應(yīng)用，特別是光纖通信中的長波長激光器，但成功程度有限。Quanlight的方法卻與之有所不同：MOCVD法生長的InGaNAs材料中銦含量高達40%，用以激發(fā)激光器發(fā)出1.3µm的光。這導致了外延層中應(yīng)力很大，從而縮短了器件壽命，降低了穩(wěn)定性。而InGaNP中銦的濃度要低得多，避免了上述問題。

　　在國際權(quán)威物理學期刊《Applied Physics Letters》上，Quanlight對MBE法InGaNP外延生長及隨后的LED芯片制備進行了描述。但為了實現(xiàn)LED的商業(yè)化生產(chǎn)，Quanlight正將這一外延生長工藝轉(zhuǎn)接到MOCVD平臺上，并使用3英寸GaP襯底。 Quanlight稱目前所有技術(shù)上的里程碑均已達到，轉(zhuǎn)化過程進展順利，芯片的最優(yōu)化則正在進行中。

　　Quanlight公司正在使用的，是用傳統(tǒng)LEC(液封直拉法)生產(chǎn)的GaP材料。公司與襯底制造商PVA Tepla的合作將有望使用VGF(垂直梯度冷凝，Vertical Gradient Freeze)工藝生產(chǎn)出缺陷密度更低的晶體。

　　在融資的幫助下，Quanlight希望今年底完成對紅光LED的開發(fā)，其生產(chǎn)定于08年初。公司可能會進行技術(shù)授權(quán)或外包生產(chǎn)，并無超越外延業(yè)務(wù)的意圖。（編輯：PCL）