2007年5月29日，美國國家標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究院(NIST)與馬里蘭大學(xué)及霍華德大學(xué)合作開發(fā)微小、高效、納米線紫外(UV)LED。NIST指出UV-LED對數(shù)碼存儲器和生物傳感器件非常重要。

　　目前為止的些納米級LED的生產(chǎn)非常消耗時間，不適于實現(xiàn)商業(yè)化。NIST小組使用照相平版印刷術(shù)(使用光在某一材料上印出圖像，與照相相似)、濕式蝕刻(wet etching )和金屬沉積等批量制備技術(shù)，使用電場使納米線排列起來，避免了分別放置每一條納米線這一精細(xì)、耗時的工作。新納米線LED的主要特色為由單晶GaN制成，每只LED由安置在P型GaN薄膜表面上的n型GaN納米線組成。

　　研究小組生產(chǎn)并測試了40多只這樣的LED，所有器件顯示的發(fā)光性能都非常相似，并呈現(xiàn)出優(yōu)異的熱穩(wěn)定性-室溫下可耐750攝氏度的高溫并工作穩(wěn)定，連續(xù)在室溫下工作兩小時無衰退。這些性能表明新LED生產(chǎn)方法可獲得穩(wěn)定可靠的器件。研究者稱該方法還可用于其他納米線結(jié)構(gòu)如大面積納米級光源的制備。（編輯：ZQY）