愛發(fā)科上市了生產(chǎn)效率高達原來5倍的量產(chǎn)用干蝕刻(Dry Etching)裝置。主要面向發(fā)光二極管(LED)和激光二極管。計劃從07年12月起開始供貨，08年銷售30～40臺。價格為1億2000萬日元。

　　該裝置采用了愛發(fā)科在化合物半導體市場上積累的工藝技術(shù)。用于LED生產(chǎn)時，原來只能放置1片100mm晶圓，而該裝置可同時處理5片。此外，50mm晶圓的處理數(shù)量從8片提高至21片，75mm晶圓從4片提高至9片，從而提高了生產(chǎn)效率。

　　愛發(fā)科在化合物半導體(用于LED和激光二極管)、藍寶石、碳化硅、貴金屬和氧化膜等的蝕刻技術(shù)方面擁有豐富的經(jīng)驗技術(shù)。該公司將提供可實現(xiàn)上述處理應用(Process Application)的設備和工藝。

　　愛發(fā)科將以綜合實力涉足以發(fā)光元件為主的化合物半導體市場，將供應干蝕刻裝置、真空蒸著裝置、濺射裝置和化學氣相沉積(CVD)裝置等，今后將繼續(xù)加強此類解決方案的開發(fā)。

　　另外，愛發(fā)科預定在“Semicon Japan 2007”(07年12月5～7日在千葉縣幕張Messe會展中心召開)上展出該裝置。（編輯：PCL）