旭明以特有專利申請中的磊晶沉漬技術，此技術是LED在藍寶石基材上成長額外的結構，此結構使得藍寶石基材可以移除。LED在金屬基層上形成之后，也在n-GaN表面上制作圖案來克服氮化鎵材料內部的光全反射損失，增加取光效率。旭明光電的垂直型金屬基層MvpLED技術克服了傳統(tǒng)型與覆晶封裝型的效率不佳的問題，舉例而言，第一點，此技術并不需移除n型電極接腳上的任何東西，同尺寸晶粒下，傳統(tǒng)型藍寶石基板之氮化鎵LED相比較而言，其發(fā)光的面積較大。第二點，因為電源以垂直方向流經組件而大幅降低動態(tài)電阻，而電流聚集也被可避免。再者，由于n型氮化鎵本身具有較好的電傳導率，在無須制作透明電極層的情況下，依然具有很好的電流散布，因此沒有透明電極吸光而降低亮度的困擾，可具有較高亮度的光輸出。第三點，由于垂直型金屬基層MvpLED之金屬基層具有很高的熱傳導率，所以垂直型金屬基層MvpLED的導熱效率很好。第四點，垂直型金屬基層MvpLED的出光方向為單一方向，向上射出，而傳統(tǒng)型藍寶石基板之氮化鎵LED的出光方向確有六個面向來射出，因此不論在克服全反射效應的出光或于封裝晶粒時將光收集的效應來看，垂直型金屬基層MvpLED具有最好的光取出與光收集，達成最佳發(fā)光的效率。綜合以上所言，垂直型金屬基層MvpLED可以實現(xiàn)固態(tài)照明應用上時之高工作電流與高功率操作之要求。

　　4、MvpLED組件優(yōu)點：

　　根據各種不同基板之熱傳導率比較，相較于一般目前商業(yè)化所用的晶?；模{寶石、硅板、鍺、氮化鎵、碳化硅來說，MvpLED之金屬基層具有相對較高之熱傳導率，顯示具有更加的散熱能力。旭明已使用垂直型金屬基層MvpLED技術在15mil,24mil,28mil,40mil,60mil不同晶粒尺寸的制作。