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南韓最新開發(fā)技術(shù):青色LED發(fā)光效率增加30%

2010-05-05 作者:未知 來源:ledinside 瀏覽量: 網(wǎng)友評論: 0

摘要: 日前,韓國教育科學技術(shù)部表示,由韓國國內(nèi)研究組將第二代照明光源的InGaN 青色LED的發(fā)光效率最高增加了30%以上的源泉技術(shù)開發(fā)成功。

  日前,韓國教育科學技術(shù)部表示,由韓國國內(nèi)研究組將第二代照明光源的InGaN 青色LED的發(fā)光效率最高增加了30%以上的源泉技術(shù)開發(fā)成功。

  此次開發(fā)的技術(shù)與原有的LED相比,不會低減電器的特征,依靠鋅氧粉納米桿的光導波路現(xiàn)象,增加30%以上的發(fā)光效率。光州科技院的鄭建永教授表示:“此次研究結(jié)果從材料費或工程費側(cè)面比較簡單地將光導波管作用的鋅氧粉(ZnO)桿在低溫下,不會為LED電極構(gòu)造帶來影響的同時使之生長,是將發(fā)光效率跨越性提高的源泉技術(shù),今后的研究等與納米技術(shù)融合的話,2015年的1,100億美金的利益效果與世界LED照明市場的先占將成為可能”。(編輯:ZQY)

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