日本成功開(kāi)發(fā)出嵌入鍺量子點(diǎn)的硅基LED
2010-05-26
作者：未知
來(lái)源：ledinside
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摘要： 近日，日本東京都市大學(xué)綜合研究所硅納米科學(xué)研究中心成功開(kāi)發(fā)出采用鍺（Ge）量子點(diǎn)的硅發(fā)光元件。
近日，日本東京都市大學(xué)綜合研究所硅納米科學(xué)研究中心成功開(kāi)發(fā)出采用鍺(Ge)量子點(diǎn)的硅發(fā)光元件。
東京都市大學(xué)工學(xué)部教授、硅納米科學(xué)研究中心主任丸泉琢說(shuō)明，該發(fā)光元件是在基于硅的pin構(gòu)造元件的i 層中，嵌入了直徑為數(shù)10~100nm的鍺微小粒子，這種粒子具有提高電子和空穴之間重組率的作用，是藉由分子束外延法在約400℃溫度下形成，因此元件的制造工藝與CMOS工藝具有兼容性。
該元件活性層部分的直徑約為3μm。已確認(rèn)可在室溫下，通過(guò)電流注入可以發(fā)出波長(zhǎng)為1.2μm左右的光線。發(fā)光的內(nèi)部量子效率為10-2。另外，如果增加注入電流、發(fā)光強(qiáng)度就會(huì)大幅提高的傾向。未來(lái)將在2～3年后開(kāi)發(fā)出作為光開(kāi)關(guān)工作的元件。(編輯：ZQY)
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