2011年4月8日，在2011'中國(廈門)LED室內(nèi)照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展論壇上，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所所長李晉閩圍繞半導(dǎo)體照明重大項目進展情況、半導(dǎo)體照明技術(shù)趨勢以及存在的問題進行了精彩演講。

中科院半導(dǎo)體所所長李晉閩

　　在本次產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展論壇上，李晉閩所長重點介紹了“LED前瞻技術(shù)--深紫外LED開發(fā)”，他表示這項技術(shù)未來重點的研究內(nèi)容在于以下六點：

　　1） 基于藍寶石襯底的高Al組分AlGaN材料的外延生長和摻雜技術(shù);

　　2） AlGaInN四元合金材料的外延和摻雜技術(shù);

　　3） 紫外LED結(jié)構(gòu)材料外延技術(shù);

　　4） 紫外LED用材料的分析表征技術(shù);

　　5） 紫外LED器件研制技術(shù);

　　6） AlN單晶材料制備技術(shù)

　　據(jù)Reportlinker的報告指出，深紫外LED的潛在市場達數(shù)十億美元。這項技術(shù)與紫外汞燈相比，具有生態(tài)友好的顯著優(yōu)勢，無毒、節(jié)能、環(huán)保。使用紫外LED激發(fā)熒光粉獲得白光LED，符合國家節(jié)能減排的能源戰(zhàn)略目標(biāo);對推動建設(shè)環(huán)境友好型、能源節(jié)約型社會具有重大而又深遠的意義。