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SJ/T 11398-2009 功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片技術(shù)規(guī)范

2011-10-27 作者:崔波,張萬(wàn)生,蔡偉智,胡愛(ài)華 來(lái)源:工業(yè)和信息化部 瀏覽量: 網(wǎng)友評(píng)論: 0

摘要: 主要規(guī)定了功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片材料、尺寸、鍵合區(qū)、標(biāo)志、外觀質(zhì)量、絕對(duì)最大額定值和光電特性、質(zhì)量保證規(guī)定、交貨準(zhǔn)備、目檢、靜電放電敏感度測(cè)試和分級(jí)方法等。

  發(fā)布部門(mén): 工業(yè)和信息化部

  發(fā)布日期: 2009-11-17

  實(shí)施日期: 2010-01-01

  歸口單位: 工業(yè)和信息化部電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化研究所

  主管部門(mén): 工業(yè)和信息化部電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化研究所

  起草單位: 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十二研究所、廈門(mén)三安電子有限公司、廈門(mén)華聯(lián)電子有限公司

  起草人: 崔波、張萬(wàn)生、蔡偉智、胡愛(ài)華

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