2012年7月10至12日半，導體產業(yè)最大的展覽會—美西半導體設備暨材料展(SEMICON West)在美國硅谷舉行。晶能光電有限公司首席技術官(CTO)趙漢民博士應邀出席“新一代高亮LED峰會”并發(fā)表演講，介紹了晶能光電最近實現(xiàn)量產的硅襯底大功率LED芯片的最新成果，引起業(yè)界高度的關注。

　　在峰會上趙漢民博士作了題為“Commercialization of High power LEDs based on GaN-on-Si technology”的報告。報告介紹了晶能光電公司的發(fā)展歷程，同時從產品的工藝、種類、性能、應用和特點等方面詳細介紹了硅基大功率LED芯片的最新進展，指出晶能光電作為目前全球唯一一家硅基LED芯片產品實現(xiàn)量產的公司，將打破藍寶石襯底和碳化硅襯底LED芯片的壟斷局面，為高效率低成本的半導體照明做出自己的貢獻。

　　報告重點介紹了包括28*28mil、35*35mil、45*45mil和55*55mil在內的四款硅基大功率LED芯片，此前晶能光電在廣州香格里拉大酒店舉行的新一代大功率硅基LED芯片產品發(fā)布會上推出了這四款產品。趙漢民博士指出，45mil的硅基大功率LED芯片發(fā)光效率可達到120lm/W，可廣泛應用于室內照明、室外照明、直下式背光和便攜式照明等市場。與目前市場主流的藍寶石襯底LED芯片相比，硅襯底LED芯片具有耐大電流密度、散熱性能好、發(fā)光形貌好、可靠性高等綜合優(yōu)勢。晶能光電針對硅襯底LED芯片技術申請了國際國內200多項專利，形成了很強的專利保護。報告最后指出，大尺寸GaN/Si技術的研發(fā)成功將會有力地降低LED成本，推動LED照明的大規(guī)模應用。目前晶能光電正在努力開發(fā)6寸 技術，預計在將來12個月內進入量產。

　　此次展覽會和LED峰會增進了全球LED照明公司之間的技術交流與溝通，并且將晶能光電的硅基LED技術推向了LED行業(yè)的國際前沿，為硅基LED的未來發(fā)展奠定了基礎。