9月14日，新海宜發(fā)布公告稱，其控股子公司蘇州新納晶光電有限公司獲得政府財政補貼1500萬元。

　　根據(jù)江蘇省財政廳、江蘇省科技廳聯(lián)合發(fā)布的《關(guān)于下達2012年第十二批省級科技創(chuàng)新與成果轉(zhuǎn)化(重大科技成果轉(zhuǎn)化)專項引導(dǎo)資金的通知》，新納晶“基于納米圖形襯底的高效LED外延、芯片的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目被列入2012年第十二批江蘇省科技創(chuàng)新與成果轉(zhuǎn)化(重大科技成果轉(zhuǎn)化)專項引導(dǎo)資金項目，獲得政府補貼1300萬元。

　　據(jù)悉，該項目的主要研發(fā)內(nèi)容是采用光學(xué)模擬的方法，設(shè)計和優(yōu)化新型襯底納米圖形結(jié)構(gòu);開發(fā)納米圖形襯底連續(xù)壓印技術(shù);完善和優(yōu)化藍寶石圖形襯底上的LED外延、芯片及封裝技術(shù)等。

　　而根據(jù)蘇州市科技局、蘇州市財政局聯(lián)合發(fā)布的《關(guān)于下達蘇州市2012年度第五批科技發(fā)展技術(shù)(技術(shù)專項)項目經(jīng)費的通知》，新納晶“基于納米圖形襯底的高效LED照明芯片研發(fā)”項目被列入蘇州市2012年度第五批科技發(fā)展計劃(技術(shù)專項)項目，獲得政府補貼200萬元。

　　該項目主要內(nèi)容為致力于NPSS襯底的結(jié)構(gòu)設(shè)計、NPSS襯底連續(xù)納米壓印技術(shù)研究、GaN外延生長技術(shù)研究、高亮度高良率LED外延片生長技術(shù)研究。此項目完成后，能夠使LED芯片發(fā)光率在目前基礎(chǔ)上提高30%，達到170lm/W，并且可以有效降低15%的成本。