歐司朗光電半導(dǎo)體德國總部項目經(jīng)理 Peter Stauss 博士指出：“我們多年的研發(fā)投入終于有了回報：不僅成功地提升了硅基上氮化鎵層的質(zhì)量，產(chǎn)品的效能和亮度也極具競爭力。此外，我們還執(zhí)行了應(yīng)力試驗，證明我們的 LED 具有很高的質(zhì)量以及良好的耐用性，這是我們傳統(tǒng)檢驗標志的兩項主要指標。”在過去 30 多年的時間里，公司在人工晶體生長(外延附生)工藝領(lǐng)域積累了豐富的專業(yè)經(jīng)驗，為這項全新制造技術(shù)的發(fā)展里程碑上奠定了基礎(chǔ)。德國聯(lián)邦教育和研究部將這些研發(fā)活動納入其“硅上氮化鎵 (GaNonSi)” 項目網(wǎng)絡(luò)，撥付了研發(fā)基金。

　　從多個方面來看，這都是一項開創(chuàng)性的技術(shù)。由于硅在半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)用廣泛，且可實現(xiàn)較大的晶圓直徑，再加上其出眾的熱管理特性，所以照明市場以后必將趨向于選擇這種極具吸引力且成本合理的材料。此外，公司制造的 LED 硅芯片的質(zhì)量和性能數(shù)據(jù)可與藍寶石基芯片相媲美：標準 Golden Dragon Plus LED 封裝中的藍光 UX:3 芯片在 3.15V 時亮度可達 634 mW，這相當(dāng)于 58% 的光效。這些都是 1mm² 芯片在 350 mA 電流下所能達到的較高值。換言之，如果再結(jié)合標準封裝中的傳統(tǒng)熒光粉轉(zhuǎn)換，這些白光 LED 原型在 350 mA 電流下亮度將達到 140 lm，色溫為 4500 K 時更將實現(xiàn) 127 lm/W 的光效。

　　Stauss 博士強調(diào)：“對于被廣泛應(yīng)用于照明行業(yè)的 LED 而言，在保持同等質(zhì)量和性能的前提下，必須大幅降低元件的成本。為此，我們圍繞整個技術(shù)鏈研發(fā)新方法，從芯片技術(shù)到生產(chǎn)工藝再到封裝技術(shù)，無不涉及。”從數(shù)學(xué)理論來說，目前已可在直徑為 150mm(6 英寸)的晶圓上制造出 17,000 顆 1mm² 大小的 LED 芯片。硅晶圓越大，生產(chǎn)效率就越高;研發(fā)人員已經(jīng)向世人展示了第一個 200mm(約 8 英寸)的硅基結(jié)構(gòu)。