隨著LED技術(shù)不斷發(fā)展，其發(fā)光波長已經(jīng)由可見光波段拓展到深紫外波段，其技術(shù)逐漸成熟和成本下降將使得紫外LED應(yīng)用更加廣泛，甚至可能超越目前的藍(lán)光LED。從深紫外LED的發(fā)光特點，制作工藝等方面，重點介紹深紫外LED的目前的研究進(jìn)展與產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。

　　1997年，日亞化學(xué)成功研發(fā)世界首個發(fā)光波長為371 nm的GaN基紫外發(fā)光LED。2003年，美國SETi公司開發(fā)出波長為280 nm的A1GaN基深紫外LED 。2014年10月24日，諾貝爾物理學(xué)獎獲得者之一天野浩在記者見面會上介紹了自己正在進(jìn)行的研究，其中包括波長為250~350 nm左右的深紫外LED。

　　紫外LED作為LED的1個分支，雖不能照明但具備LED的所有優(yōu)勢，理論上可以替代所有傳統(tǒng)紫外光源，極大地拓展了LED的應(yīng)用領(lǐng)域。最常見的紫外線主要是來源于太陽輻射，根據(jù)波長可把紫外線分為長波紫外線(ultraviolet A ， UVA)、中波紫外線(ultraviolet B，UVB)和短波紫外線(ultravioletC，UVC)，波長分別為320~400 nm，280~320nm， 100~280 nm。能夠到達(dá)地球表面的紫外線主要包括長波紫外線UVA和中波紫外線UVB，而短波紫外線UVC基本都被大氣中的臭氧層吸收(因此UVC屬于日盲區(qū))。

　　紫外LED制造技術(shù)簡介

　　1.1 發(fā)光材料的制備

　　外延生長工藝為，通過MOCVD設(shè)備在藍(lán)寶石襯底上依次生長A1N模板層、N型A1GaN層、多量了阱發(fā)光層、電了阻擋層和P型GaN接觸層，外延結(jié)構(gòu)示意圖見下圖1。