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第三代半導體崛起 中國照明能否彎道超車?

2016-01-04 作者: 來源:《LED市場》雜志 瀏覽量: 網友評論: 0

摘要: 近年,以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導體材料在引發(fā)全球矚目,成為全球半導體研究前沿和熱點,中國也不例外地快馬加鞭進行部署。

  美日歐爭搶制高點

  從國際競爭角度看,美、日、歐等發(fā)達國家已將第三代半導體材料列入國家計劃,并展開全面戰(zhàn)略部署,欲搶占戰(zhàn)略制高點。

  如美國,2014年初,美國總統(tǒng)奧巴馬宣布成立“下一代功率電子技術國家制造業(yè)創(chuàng)新中心”,期望通過加強第三代半導體技術的研發(fā)和產業(yè)化,使美國占領下一代功率電子產業(yè)這個正在出現的規(guī)模最大、發(fā)展最快的新興市場,并為美國創(chuàng)造出一大批高收入就業(yè)崗位。

  日本也建立了“下一代功率半導體封裝技術開發(fā)聯(lián)盟”,由大阪大學牽頭,協(xié)同羅姆、三菱電機、松下電器等18家從事SiC和GaN材料、器件以及應用技術開發(fā)及產業(yè)化的知名企業(yè)、大學和研究中心,共同開發(fā)適應SiC和GaN等下一代功率半導體特點的先進封裝技術。

  歐洲則啟動了產學研項目“LAST POWER”,由意法半導體公司牽頭,協(xié)同來自意大利、德國等六個歐洲國家的私營企業(yè)、大學和公共研究中心,聯(lián)合攻關SiC和GaN的關鍵技術。項目通過研發(fā)高性價比且高可靠性的SiC和GaN功率電子技術,使歐洲躋身于世界高能效功率芯片研究與商用的最前沿。

  中國:建立創(chuàng)新基地加強專利武裝

  各國政府都紛紛加緊在該領域的部署,所幸,中國也不例外。而如何憑借這一機遇,使中國掌控新一輪半導體發(fā)展的話語權,至關重要。

  2015年5月,京津冀就聯(lián)合共建了第三代半導體材料及應用聯(lián)合創(chuàng)新基地,搶占第三代半導體戰(zhàn)略新高地,后還與荷蘭代爾夫特理工大學簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議,標志著該基地引進國際優(yōu)勢創(chuàng)新資源、匯聚全球創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)人才取得新進展。

  科技部高新司副司長曹國英表示,第三代半導體聯(lián)合創(chuàng)新基地的建設對促進產業(yè)的發(fā)展具有十分積極的作用,科技部高新司將會持續(xù)支持第三代半導體的建設及基地的發(fā)展。

  北京市科委主任閆傲霜也認為,建設第三代半導體材料及應用聯(lián)合創(chuàng)新基地,既是國家級的重要戰(zhàn)略部署,也是北京作為全球科技創(chuàng)新中心的一項重要的決策。

  此外,在中央政府越來越重視知識產權保護的今天,產業(yè)界對于第三代半導體產業(yè)的知識產權問題也極為重視。2015年12月,第三代半導體專利聯(lián)盟成立,并搭建第三代半導體知識產權創(chuàng)新服務平臺,為第三代半導體產業(yè)創(chuàng)新發(fā)展保駕護航。這是國內首個專門針對第三代半導體產業(yè)而設立的專利服務平臺,將助力知識產權與科技、資本充分融合,幫助正確處理知識產權與政府、市場的關系,助推知識產權經濟價值充分實現,并在創(chuàng)新驅動中取得新的進展。

  據東莞市燕園知識產權服務有限公司總經理孫銀生律師透露,2014年,全球第三代半導體材料相關專利已超過10萬件,2015年專利申請量持續(xù)高速增長。

  國家知識產權局發(fā)展研究中心副處長孫權亮指出,知識產權運營高頻進入頂級政策規(guī)劃,僅2015年,國家共出臺知識產權運營相關政策約12項,知識產權運營未來發(fā)展的政策傾向于以市場化運作為主、鼓勵商業(yè)運作模式創(chuàng)新,并將重點領域放在包括新材料在內的知識產權密集型產業(yè)。

  廣東省知識產權局副局長謝紅也表示,廣東省知識產權局將會聚焦包括第三代半導體產業(yè)在內的產業(yè)發(fā)展,不斷加大產業(yè)企業(yè)知識產權保護力度,為產業(yè)鏈企業(yè)轉型升級提供動力支持,努力支撐高新技術產業(yè)的創(chuàng)新發(fā)展。

  LED產業(yè)專利聯(lián)盟理事長眭世榮在接受本刊記者采訪時也提到,知識產權問題是關系到國家從制造大國轉向強國過程中,最為重要的抓手和驅動力,將更加增強全民對自主創(chuàng)新能力的驅動,而且如果未來第三代半導體產業(yè)不重視知識產權,將會付出血的代價。

  有望實現彎道超車

  在首屆第三代半導體材料及應用發(fā)展國際研討會上,科技部副部長曹健林曾表示,“今天的中國,在技術上已經走到了世界前列,更何況中國已經是世界上最大的經濟體系,我們應該與全世界的同行共同來解決面臨的問題,而且隨著中國政府支持創(chuàng)新、鼓勵創(chuàng)新力度的加強,我們更相信中國有能力解決這些問題,這不僅是為中國,也是為全世界科學技術工作做出巨大的推動。”

  此外,與會專家也認為:實際上,與在第一代、第二代半導體材料及集成電路產業(yè)上的多年落后、很難追趕國際先進水平的形勢不同,我國在第三代半導體領域的研究工作一直緊跟世界前沿,工程技術水平和國際先進水平差距不大,已經發(fā)展到了從跟蹤模仿到并駕齊驅、進而可能在部分領域獲得領先和比較優(yōu)勢的階段,并且有機會實現超越。所以,隨著國家戰(zhàn)略層面支持力度的加大,特別是我國在節(jié)能減排和信息技術快速發(fā)展方面具備比較好的產業(yè)基礎,且具有迫切需求和巨大的應用市場,因此我國將有望集中優(yōu)勢力量一舉實現彎道超車和占位領跑。

  同理,這也或將適用于照明產業(yè)?!爱a業(yè)發(fā)展要從根本抓起,根本就在材料,如果沒有材料做什么都無從抓起。從戰(zhàn)略上講,重視第三代半導體材料是整個國家的需要,站在半導體照明產業(yè),也是我國發(fā)展新機會,抓得早一點、抓得緊一點,就可能與國際先進水平的差距縮小一點。國家僅僅起到引導和推動的作用,企業(yè)要努力找到成功的途徑。”三星中國區(qū)總經理唐國慶在接受媒體采訪時如是說。

  根據預測,到2020年,第三代半導體技術的應用將催生我國多個領域均出現上萬億元的潛在市場價值,屆時將催生巨大市場應用空間。


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