圖1. 因爐壓(p)變化導(dǎo)致LED生長(zhǎng)過程中溫度的變化。

　　在標(biāo)準(zhǔn)的GaN生長(zhǎng)條件和標(biāo)準(zhǔn)壓力下(2)，pocket temperature溫度及中心的晶片溫度控制得很好，當(dāng)改變工藝條件時(shí)，如降低爐壓及提高工藝溫度，則晶片溫度會(huì)下降20K低于pocket溫度，而這些變化用傳統(tǒng)的計(jì)量法是無法測(cè)出的。原因在于，載氣從pocket運(yùn)行至晶片其傳熱效果變差。因此，對(duì)于器件生長(zhǎng)過程的溫度控制而言，理解和控制這種效果是至關(guān)重要的;事實(shí)上，也僅有Pyro 400能測(cè)試出來。

　　圖2. Pyro 400線掃描測(cè)量：不同生長(zhǎng)步驟(見圖1)整片晶片的溫度分布。

　　圖2展示了在不同生長(zhǎng)環(huán)節(jié)整塊晶片的溫度分布，依照特定的生長(zhǎng)條件：

　　1、生長(zhǎng)前：Pyro 400展示了藍(lán)寶石裸片上pocket的平面溫度曲線;

　　2、GaN緩沖層生長(zhǎng)：晶片中心因翹曲的原因比邊緣要熱;

　　3、超晶格生長(zhǎng)：爐壓的降低以及熱量從pocket傳至晶片，使得中心溫度下降;

　　4、多量子阱生長(zhǎng)：平整的晶片獲得趨于水平的溫度曲線。

　　LayTec表示，具有紫外感知功能的Pyro 400可直接測(cè)量GaN表面的溫度，讓生長(zhǎng)表面的溫度變化暴露在陽光之下，這點(diǎn)傳統(tǒng)的測(cè)溫設(shè)備是做不到的。