【新世紀(jì)LED網(wǎng)訊】日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會社推出的“全SiC”功率模塊(額定1200V/100A)開始投入量產(chǎn)。該產(chǎn)品的內(nèi)置功率半導(dǎo)體元件全部采用SiC(Silicon Carbide：碳化硅)構(gòu)成。

　　此產(chǎn)品安裝在工業(yè)設(shè)備和太陽能電池等中負(fù)責(zé)電力轉(zhuǎn)換的變頻器、轉(zhuǎn)換器上，與普通的Si(硅)材質(zhì)的IGBT模塊相比，具備以下優(yōu)勢，有效解決了世界能源和資源等地球環(huán)境問題。

　　●開關(guān)損耗降低85%

　　●與傳統(tǒng)的400A級別的Si-IGBT模塊相替換時(shí)，體積減小約50%

　　●損耗低，因此發(fā)熱少，可減小冷卻裝置體積，從而可實(shí)現(xiàn)設(shè)備整體的小型化

　　本產(chǎn)品計(jì)劃在羅姆總部工廠(京都市)從3月份下旬開始量產(chǎn)、出貨。

　　近年來，在工業(yè)設(shè)備和太陽能電池、電動汽車、鐵路等電力電子技術(shù)領(lǐng)域，與Si元件相比，電力轉(zhuǎn)換時(shí)損耗少、材料性能卓越的SiC元件/模塊的實(shí)際應(yīng)用備受期待。

　　根據(jù)估算，將傳統(tǒng)的Si半導(dǎo)體全部替換為SiC后的節(jié)能效果，僅在日本國內(nèi)就相當(dāng)于4座核電站的發(fā)電量，因此，各公司都已強(qiáng)化了相關(guān)研究開發(fā)。在這種背景下，羅姆于2010年在世界上率先成功實(shí)現(xiàn)了SiC-SBD和SiC-MOSFET兩種SiC元件的量產(chǎn)，在行業(yè)中遙遙領(lǐng)先。

　　與此同時(shí)，關(guān)于“全SiC”模塊，即所內(nèi)置的功率元件全部將Si替換為SiC，多年來，雖然全世界的制造商多方試制，但在可靠性上存在諸多課題，一直無法實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。