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科銳推出50A碳化硅功率器件 實現(xiàn)低成本高能效

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2012-05-14 作者:LEDth 來源:新世紀(jì)LED網(wǎng) 瀏覽量: 網(wǎng)友評論: 0

摘要: 科銳將重新界定大功率應(yīng)用的性能和能效,推出全新產(chǎn)品系列——50A碳化硅功率器件。該產(chǎn)品系列不僅包括業(yè)界首款1700V Z-FET?碳化硅MOSFET器件,還包括1200V Z-FET?碳化硅MOSFET器件和三款Z-Rec?碳化硅肖特基二極管,能夠提供創(chuàng)紀(jì)錄的能效以及比傳統(tǒng)技術(shù)更低的擁有成本,開創(chuàng)了新一代電源系統(tǒng)。

  科銳將重新界定大功率應(yīng)用的性能和能效,推出全新產(chǎn)品系列——50A碳化硅功率器件。該產(chǎn)品系列不僅包括業(yè)界首款1700V Z-FET™碳化硅MOSFET器件,還包括1200V Z-FET™碳化硅MOSFET器件和三款Z-Rec®碳化硅肖特基二極管,能夠提供創(chuàng)紀(jì)錄的能效以及比傳統(tǒng)技術(shù)更低的擁有成本,開創(chuàng)了新一代電源系統(tǒng)。

  科銳全新產(chǎn)品系列50A碳化硅器件包括40mΩ1700V MOSFET器件、25mΩ1200V MOSFET器件以及50A/1700V、50A/1200V 和50A/650V肖特基二極管。該產(chǎn)品系列現(xiàn)已提供樣品及基礎(chǔ)數(shù)據(jù)表,預(yù)計2012年秋實現(xiàn)量產(chǎn)。

  科銳50A碳化硅功率器件采用裸芯片形式,針對太陽能功率逆變器、不間斷電源設(shè)備以及電機驅(qū)動器等大功率模組應(yīng)用進行設(shè)計。該類器件以更小的尺寸、更低的物料成本以及更高的效率使得電力電子工程師能夠為系統(tǒng)擁有成本設(shè)定新的標(biāo)準(zhǔn)。

  科銳表示大尺寸的芯片能夠?qū)崿F(xiàn)更多的優(yōu)勢,使得碳化硅MOSFET器件能夠使用在更高的功率應(yīng)用中應(yīng)用,從而能夠取代在大功率、高電壓應(yīng)用領(lǐng)域中的低效傳統(tǒng)硅IGBT器件。該系列高額定碳化硅器件的推出保持了科銳在碳化硅技術(shù)屢創(chuàng)第一的傳統(tǒng),如業(yè)界第一款1200V 碳化硅MOSFET器件以及第一個量產(chǎn)1200V和1700V碳化硅肖特基二極管。

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