三菱化學(xué)試制出了尺寸約為長(zhǎng)20mm×寬12mm的大尺寸m面GaN底板，并在于美國(guó)拉斯維加斯舉行的“ICNS-7”(2007年9月16～21日)上發(fā)表(演講序號(hào)：I1)。原產(chǎn)品尺寸約為長(zhǎng)20mm×寬5mm，此次主要是加大了短的一邊。m面為非極性面，利用此次的底板可在GaN結(jié)晶的非極性面上制作出LED及半導(dǎo)體激光器等發(fā)光元件。該公司以前開(kāi)發(fā)的m面底板被用于羅姆與東北大學(xué)的研究小組、以及美國(guó)加州大學(xué)圣巴巴拉分校(UCSB)的教授中村修二的研究小組等制作的GaN元件。

　　非極性面是與GaN結(jié)晶c面的極性面相互垂直的面。藍(lán)色LED及藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光器等發(fā)光元件、面向無(wú)線基站的功率放大器電路、產(chǎn)業(yè)設(shè)備等的電源電路的晶體管等利用GaN系半導(dǎo)體的元件(GaN元件)一般都是在c面上制作而成的。利用非極性面，理論上將會(huì)提高GaN元件的性能。例如發(fā)光元件，可以提高發(fā)光效率。目前，在c面已經(jīng)可以產(chǎn)品化2英尺的GaN底板，但m面底板還沒(méi)有這種尺寸的, 所以希望實(shí)現(xiàn)m面GaN底板的大型化。

　　首先從c面生長(zhǎng)開(kāi)始

　　三菱化學(xué)試制的m面底板首先在c面的垂直方向(c軸方向)通過(guò)HVPE法使GaN結(jié)晶生長(zhǎng)，之后，按照與c面垂直方向切下GaN底板形成m面GaN底板。c面的垂直方向就成為m面底板的短邊方向。利用該手法加長(zhǎng)m面底板的短邊需要增加c面底板的厚度。此前c面底板的厚度約為5mm。此次的試制品加厚至12mm。

　　另一方面，m面底板的長(zhǎng)邊方向取決于c面底板的尺寸。此次利用的c面GaN底板的直徑為2英尺，長(zhǎng)邊最長(zhǎng)可達(dá)約50mm。但是，為防止底板曲翹及考慮到用戶的需求，將其縮短至約20mm。長(zhǎng)邊的長(zhǎng)度可在一定程度上任意改變。