用于裝飾和建筑照明的低壓鹵素照明燈具正不斷得到普及，但是由于鹵素?zé)襞輭勖鄬?duì)較短、可靠性相對(duì)較低，大功率LED正在成為更好的選擇。圖中所示電路提供了一個(gè)驅(qū)動(dòng)大功率白光LED的新解決方案，即利用一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的“降壓”工作模式的升壓變換器IC驅(qū)動(dòng)LED。這種解決方案的效率高達(dá)96%，與效率只有85%的標(biāo)準(zhǔn)方案相比，它具有很多實(shí)際優(yōu)點(diǎn)。

　　當(dāng)MOSFET(Q1)導(dǎo)通時(shí)，電流從輸入流過LED、并聯(lián)濾波電容器(C2)、電感(L1)、Q1及感應(yīng)電阻(R1)，直至達(dá)到由感應(yīng)電阻值和ZXSC310感應(yīng)電壓的感應(yīng)閾值(通常為19mV)所決定的電流峰值。

　　一旦電流達(dá)到所設(shè)定的相應(yīng)峰值電流，MOSFET就關(guān)斷并保持1.7ms。在這個(gè)時(shí)間內(nèi)，儲(chǔ)存在電感內(nèi)的電能就通過肖特基二極管轉(zhuǎn)移到LED，從而保持高效LED的亮度。

　　對(duì)輸入電壓和串聯(lián)LED的數(shù)量沒有限制。要得到更高的輸入電壓，就必須適當(dāng)?shù)卣{(diào)整C1、R2、D1、C2和Q1的值以便能承受電壓范圍。對(duì)于更大數(shù)目的LED，最小輸入電壓必須大于串聯(lián)LED的正向電壓降。

　　通過采用降壓模式的升壓變換器方案，可以用一個(gè)低端N溝道MOSFET替代典型降壓型變換器中常見的高端P溝道MOSFET。N溝道MOSFET器件的固有導(dǎo)通損耗比尺寸相同的P溝道MOSFET器件的導(dǎo)通損耗低三倍。

　　當(dāng)然，在典型的降壓變換器電路中也可以使用N溝道MOSFET，但需要額外自舉電路對(duì)它進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。低端開關(guān)也可以使峰值感應(yīng)電流以地為參考，這與高端電流感應(yīng)相比，可提高精度并減小噪聲。

　　在間斷工作模式下采用升壓方法，控制回路工作在電流模式，可為變換器提供周期性控制。這樣使其從根本上保持穩(wěn)定，與電壓模式降壓變換器相比，它可以簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。

　　上述方案的另外一個(gè)特點(diǎn)是，因?yàn)楫?dāng)電感處于充電狀態(tài)時(shí)電流流過LED，所以LED電流的峰均值將減小，這樣在相同LED亮度下可將峰值電流設(shè)置得更小，從而進(jìn)一步改善效率、可靠性以及輸入噪聲性能。