采用光生伏特效應(yīng)的LED芯片在檢測(cè)方法上的研究(上)
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上傳人：李戀，李平 上傳時(shí)間： 2009-12-16 瀏覽次數(shù)： 267 |
式中：d是pn結(jié)的厚度，α為半導(dǎo)體材料的吸收系數(shù)，與材料本身、摻雜濃度以及激勵(lì)光的波長(zhǎng)有關(guān)，P(x)是在pn結(jié)內(nèi)位置算處(假定pn結(jié)表面坐標(biāo)位置為0)的激勵(lì)光強(qiáng)度[13]，表示為：
式中：P0是在pn結(jié)表面的激勵(lì)光強(qiáng)度。
根據(jù)愛因斯坦關(guān)系式，電子和空穴的擴(kuò)散長(zhǎng)度Ln和Lp可表示為
式中：KB為玻爾茲曼常數(shù)，T為開氏溫度，μn、μp分別為電子、空穴遷移率，與材料本身、摻雜濃度以及溫度有關(guān)，
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