芯片核心技術的發(fā)展趨勢

　　從國內外半導體照明功率型LED芯片技術的發(fā)展現狀來看，薄膜結構芯片憑借其一系列優(yōu)越性將會是未來照明級LED芯片技術發(fā)展的必然趨勢，照明級LED芯片結構的發(fā)展將經歷一個“正裝結構→倒裝結構→薄膜結構”的技術演變。表2列舉了薄膜結構芯片與傳統(tǒng)結構芯片的特點比較，從表中可以看出薄膜結構芯片在發(fā)光效率、散熱性和可集成性等方面有著傳統(tǒng)芯片所不能比擬的優(yōu)越性，這也是國際大廠爭相布局和研發(fā)的初衷。如圖3所示為Lumileds、Cree和Osram三家國際大廠所推出的全新薄膜結構產品，其中Cree的EZBright系列的封裝白光器件可以達到186lm/W的發(fā)光效率，為目前世界范圍內有報道的最佳水平。

　　當然，半導體照明LED芯片技術是一個涉及理論設計、外延和芯片工藝的系統(tǒng)化技術，除了薄膜芯片技術之外，當前世界范圍內針對照明級LED芯片技術的開發(fā)，主要可以歸結為以下一些技術路線：

　　1） 非極性襯底、半極性襯底的外延材料生長；

　　2） 量子點、量子線有源層設計和外延生長；

　　3） 光子晶體、準光子晶體應用于芯片取光技術；

　　4） 交流電發(fā)光二極管（AC-LED）。