MOCVD

　　金屬有機物化學氣相淀積(Metal-OrganicChemicalVaporDeposition，簡稱MOCVD)，1968年由美國洛克威爾公司提出來的一項制備化合物半導體單品薄膜的新技術。該設備集精密機械、半導體材料、真空電子、流體力學、光學、化學、計算機多學科為一體，是一種自動化程度高、價格昂貴、技術集成度高的尖端光電子專用設備，主要用于GaN(氮化鎵)系半導體材料的外延生長和藍色、綠色或紫外發(fā)光二極管芯片的制造，也是光電子行業(yè)最有發(fā)展前途的專用設備之一。

　　第一章 外延在光電產業(yè)角色

　　近十幾年來為了開發(fā)藍色高亮度發(fā)光二極管，世界各地相關研究的人員無不全力投入。而商業(yè)化的產品如藍光及綠光發(fā)光二級管LED及激光二級管LD的應用無不說明了Ⅲ-Ⅴ族元素所蘊藏的潛能，表1-1　為目前商品化LED之材料及其外延技術，紅色及綠色發(fā)光二極管之外延技術大多為液相外延成長法為主，而黃色、橙色發(fā)光二極管目前仍以氣相外延成長法成長磷砷化鎵GaAsP …………