生長溫度對InGaN/GaN多量子阱LED光學(xué)特性的影響
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上傳人：朱麗虹，劉寶林，張保平 上傳時(shí)間： 2011-04-25 瀏覽次數(shù)： 342 |
| 作者 | 朱麗虹，劉寶林，張保平 |
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| 單位 | 廈門大學(xué)物理系 |
| 分類號 | TN304 |
| 發(fā)表刊物 | 《半導(dǎo)體光電》 |
| 發(fā)布時(shí)間 | 2008年6月 |
1引言
目前藍(lán)綠光發(fā)光二極管(LED)的制作技術(shù)已較為成熟[1~3],并且利用InGaN量子阱中載流子的局域化效應(yīng),高效率藍(lán)光LED和LD已經(jīng)成功實(shí)現(xiàn)商業(yè)化[4~6]。而紫光及紫外光LED由于生長技術(shù)方面的限制,尚存在一些問題:紫光及紫外光InGaN基LED要求In的含量比較低,對位錯(cuò)密度更敏感而不……
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