管型基元LED的研究
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上傳人：龔仕宏，楊大偉等 上傳時(shí)間： 2011-05-24 瀏覽次數(shù)： 90 |
| 作者 | 龔仕宏，楊大偉，陳枕流，陳宗烈，陳大華 |
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| 單位 | 鹽城豪邁照明科技有限公司 |
| 分類號(hào) | TN312.8 |
| 發(fā)表刊物 | 《節(jié)能照明控制與LED技術(shù)學(xué)術(shù)論壇》 |
| 發(fā)布時(shí)間 | 2010年12月 |
引言
由于現(xiàn)有技術(shù)的LED無(wú)論是選用mm級(jí)還是林m級(jí)芯片封裝，LED有源層發(fā)射的光通過(guò)在芯片中復(fù)雜的路徑逸出到環(huán)境中，在其傳導(dǎo)行程的每一步中的折射或吸收都會(huì)使光子損失，因此，外量子效率很低。其次，作為大功率固定白光照明芯片結(jié)點(diǎn)散熱而引入的散熱……
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