藍(lán)寶石襯底分子束外延生長(zhǎng)GaN薄膜的原位橢偏光譜分析
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上傳人：苑進(jìn)社,劉穎丹,潘德芳 上傳時(shí)間： 2011-07-22 瀏覽次數(shù)： 215 |
| 作者 | 苑進(jìn)社,劉穎丹,潘德芳 |
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| 單位 | 重慶師范大學(xué)物理學(xué)與信息技術(shù)學(xué)院光學(xué)工程重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 |
| 分類(lèi)號(hào) | 未知 |
| 發(fā)表刊物 | 未知 |
| 發(fā)布時(shí)間 | 2010年 |
1 引 言
目前，GaN 半導(dǎo)體薄膜材料已成為研制高溫、高功率、高速短波長(zhǎng)光電子器件和新型微電子器件的重要材料，并已取得重大進(jìn)展。但由于GaN 外延層與藍(lán)寶石襯底之間的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)失配，致使在GaN 單晶薄膜異質(zhì)外延中，產(chǎn)生大量的結(jié)構(gòu)缺陷。特別是在分子束外延(MBE)中，產(chǎn)生的線位錯(cuò)密度高達(dá)108～1010cm-2，引發(fā)多種表面結(jié)構(gòu)缺陷[1，2]。GaN 單晶薄膜中的線位錯(cuò)缺陷形成的散射中心影響發(fā)光器件的性能;螺旋型線位錯(cuò)在其中心可形成納米尺度的管道，這些納米級(jí)的空洞對(duì)……
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