Si基ZnO/Ga_2O_3氨化反應(yīng)制備GaN薄膜
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上傳人：莊惠照,高海永,薛成山,王書(shū)運(yùn),董志華 上傳時(shí)間： 2011-10-25 瀏覽次數(shù)： 82 |
| 作者 | 莊惠照,高海永,薛成山,王書(shū)運(yùn),董志華 |
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| 單位 | 山東師范大學(xué)物理與電子科學(xué)學(xué)院 |
| 分類號(hào) | TN30423 |
| 發(fā)表刊物 | 微細(xì)加工技術(shù) |
| 發(fā)布時(shí)間 | 2004年02期 |
引言
GaN是一種寬帶隙ⅢⅤ族化合物半導(dǎo)體材料,室溫下禁帶寬度為3.4eV[1],對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)覆蓋了紅光到近紫外光的范圍。GaN同時(shí)具有高發(fā)光效率、高熱導(dǎo)率、耐高溫、抗輻射、耐酸堿、高強(qiáng)度和高硬度等特性,在半導(dǎo)體工業(yè)中被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料,在微電子、光電子等領(lǐng)域成為研究……
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