用氫氧化鉀溶液進(jìn)行光化學(xué)腐蝕來制造低應(yīng)變、高效率的發(fā)光二極管(LED)。臺(tái)灣的研究者聲稱，針對目前廣泛應(yīng)用的激光剝離工藝，他們已經(jīng)研發(fā)了一種替代方法，這種新型工藝在性能上十分優(yōu)異，可應(yīng)用于高亮度薄膜LED 的制造中。

　　來自臺(tái)灣中興大學(xué)的論文通訊作者Chia-Feng Lin 解釋說：“ 在InGaN LED 結(jié)構(gòu)上進(jìn)行傳統(tǒng)的激光剝離工藝會(huì)增加其位錯(cuò)密度”。根據(jù)他的說法，這將會(huì)導(dǎo)致器件在反向偏置時(shí)漏電流的增加，以及在激光處理過程中所產(chǎn)生的局部升溫造成GaN 的損壞。Lin 和他的同事提出的新方法能解決所有這些問題。新方法是在器件中先插入一個(gè)Si 摻雜超晶格交替結(jié)構(gòu)的犧牲層，其中InGaN和GaN 層厚度均為3nm。先在氫氧化鉀溶液中對這種超晶格結(jié)構(gòu)進(jìn)行光化學(xué)腐蝕，然后用粘貼膜的機(jī)械剝離方式來使緩沖層和襯底與器件所有其余部分進(jìn)行分離。

　　以一個(gè)功率為50mW、波長為405nm 的激光二極管作為光源，進(jìn)行10 分鐘的光化學(xué)腐蝕處理步驟。Lin說：“InGaN/GaN 犧牲層的橫向濕法腐蝕速率比重?fù)诫s硅GaN 層的腐蝕速率要高”。他還補(bǔ)充說，在腐蝕過程中，器件結(jié)構(gòu)中還施加了+1 V 的偏壓，來防止頂部InGaN 層的損傷。