引言：

　　目前，隨著LED 向著大功率方向發(fā)展，很多功率型LED 的驅(qū)動電流達(dá)到70 mA、100 mA 甚至1 A，電流增大雖然能夠提高LED 的亮度、功率，但是這將會引起芯片內(nèi)部熱量聚集，導(dǎo)致發(fā)光波長漂移、出光效率下降、熒光粉加速老化以及使用壽命縮短等一系列問題。業(yè)內(nèi)已經(jīng)對大功率LED 的散熱問題作出了很多的努力：通過對芯片外延結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì)，使用表面粗化技術(shù)等提高芯片內(nèi)外量子效率，減少無輻射復(fù)合產(chǎn)生的晶格振蕩，從根本上減少散熱組件負(fù)荷;通過優(yōu)化封裝結(jié)構(gòu)、材料，選擇以鋁基為主的金屬芯印刷電路板(MCPCB)，使用陶瓷、復(fù)合金屬基板等方法，加快熱量從外延層向散熱基板散發(fā)。多數(shù)廠家還建議在高性能要求場合中使用散熱片，依靠強(qiáng)對流散熱等方法促進(jìn)大功率LED 散熱。盡管如此，單個LED 產(chǎn)品目前也僅處于1～10 W 級的水平，散熱能力仍亟待提高。相當(dāng)多的研究將精力集中于尋找高熱導(dǎo)率熱沉與封裝材料，然而當(dāng)LED 功率達(dá)到10 W 以上時，這種關(guān)注遇到了相當(dāng)大的阻力。即使施加了風(fēng)冷強(qiáng)對流方式，犧牲了成本優(yōu)勢，也未能獲得令人滿意的變化。

　　討論在現(xiàn)有結(jié)構(gòu)、LED 封裝及熱沉材料熱導(dǎo)率等因素變化對于其最大功率的影響，尋找影響LED 散熱的關(guān)鍵因素。研究方法為有限元熱分析法.該方法已有實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了LED 有限元模型與其真實(shí)器件之間的差別，證明其在誤差許可范圍內(nèi)是準(zhǔn)確可行的。