摘要：采用化學(xué)氣相沉積(CVD)法在鍍Cr(20nm)的玻璃襯底上,低溫制備了ZnO納米線陣列。利用掃描電子顯微鏡(SEM)和X射線衍射(XRD)對樣品的表面形貌和微結(jié)構(gòu)進行了分析表征。結(jié)果表明:源分解溫度1350℃,襯底溫度450～500℃,氬氣流量為35sccm時,ZnO納米線在玻璃襯底上呈現(xiàn)有序生長;XRD譜圖中只觀測到ZnO(002)衍射峰。表明制備的納米線陣列具有高度c軸擇優(yōu)取向生長特性和較高的結(jié)晶質(zhì)量。

　　近年來，基于一維納米結(jié)構(gòu)如納米線、棒、帶和管在載流子的注入與傳輸方面具有明顯的優(yōu)勢和更適于納米尺度器件的制備，而受到越來越多的關(guān)注[1～3]。合成、表征和研究一維納米材料有利于研究低維系統(tǒng)的維度與量子限制效應(yīng)對系統(tǒng)的電學(xué)、熱學(xué)和機械性質(zhì)的影響，有助于研究納米尺度電子學(xué)、光電子學(xué)單元器件的功能性質(zhì)，有益于開發(fā)出高性能的新一代納米器件。

　　基于有序ZnO納米線的電子傳輸性好、合成工藝簡單、成本低、毒性低、穩(wěn)定性好等優(yōu)點，ZnO納米線陣列在染料敏化太陽能電池光陽極的應(yīng)用研究方面已成為一種重要的材料[4～7]。相對于高溫下生長的V-L-S(氣-液-固)機制以金、銀[8]作為催化劑，本文選用Cr作為催化劑，實現(xiàn)了ZnO納米線陣列的低溫生長。

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