配置背光的一種標準方法是使用兩個分立式器件： 一個采用DPAK封裝的100 V MOSFET，以及一個同樣采用DPAK封裝的100 V肖特基二極管。LED背光單元中，肖特基二極管的高漏電流可能會造成一些問題，尤其在較高溫度下。某些客戶曾遇到量產(chǎn)時肖特基二極管出現(xiàn)泄漏故障的問題。改善泄漏故障的一種方法是將肖特基二極管的額定電壓從100 V增加到120 V，但系統(tǒng)溫度較高時，漏電流依然是個問題。

　　飛兆半導體的設計團隊開發(fā)了一種替代方法，即采用100 V BoostPak解決方案。BoostPak系列(圖1)在單封裝內(nèi)集成兩個器件： 一個100 V MOSFET和一個150 V NP二極管。

圖1. BoostPak在單封裝內(nèi)集成100 V MOSFET和150 V NP二極管

　　BoostPak系列采用5引腳DPAK單封裝。N溝道MOSFET針對最大程度降低導通電阻并保持出色的開關性能而設計。NP二極管為超快速整流器，帶低正向?qū)▔航?，具有出色的開關性能。相比肖特基二極管，它具有低得多的漏電流，在高溫應用中提供更高的系統(tǒng)可靠性。

　　相比雙分立器件解決方案，BoostPak方案的尺寸更小，可節(jié)省多達20mm2的PCB空間。使用單封裝而非兩個封裝還意味著裝配更方便、系統(tǒng)成本更低。

　　BoostPak系列提供兩種版本，一種額定輸出功率為25 W，另一種額定值為40 W。表1列出詳細信息。