總部地址: 江西省南昌市高新開發(fā)區(qū)艾溪湖北路699號(hào)
主營(yíng)業(yè)務(wù): 硅襯底LED芯片及器件
晶能光電有限公司是由金沙江、淡馬錫等多家著名的投資機(jī)構(gòu)共同投資，專門從事LED外延材料與芯片生產(chǎn)的高科技企業(yè)，目前注冊(cè)資金2億美元。 晶能光電擁有的硅襯底氮化鎵基LED材料與器件技術(shù)是一項(xiàng)改寫半導(dǎo)體照明歷史的顛覆性新技術(shù)，具有原創(chuàng)技術(shù)產(chǎn)權(quán)，迄今為止已申請(qǐng)或獲得國(guó)際國(guó)內(nèi)各種專利230多項(xiàng)。國(guó)家863專家組對(duì)此項(xiàng)技術(shù)的評(píng)價(jià)是：“……打破了目前日本日亞公司壟斷藍(lán)寶石襯底和美國(guó)Cree公司壟斷碳化硅襯底半導(dǎo)體照明技術(shù)的局面，形成了藍(lán)寶石、碳化硅、硅襯底半導(dǎo)體照明技術(shù)方案三足鼎立的局面?！? 晶能光電目前擁有21臺(tái)MOCVD設(shè)備，總投資已超過10億元。目前主營(yíng)的產(chǎn)品包括大中小功率硅襯底LED芯片。
硅襯底LED芯片及器件
王敏
www.latticepower.com
江西省南昌市高新開發(fā)區(qū)艾溪湖北路699號(hào)
晶能光電突破在硅襯底上生長(zhǎng)氮化鎵基LED材料的世界性難題，并且在全球率先實(shí)現(xiàn)硅襯底LED技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化。公司2009年量產(chǎn)，2012年在全球率先實(shí)現(xiàn)硅襯底大功率LED芯片的大規(guī)模量產(chǎn)，在全球LED業(yè)內(nèi)引起了很大的反響，因此入選國(guó)際半導(dǎo)體照明聯(lián)盟（ISA）的“全球半導(dǎo)體照明2012年度新聞”事件。 圍繞硅襯底LED技術(shù)，以晶能光電為龍頭，已形成12家企業(yè)的產(chǎn)業(yè)集群，覆蓋LED全產(chǎn)業(yè)鏈。 引進(jìn)美國(guó)和韓國(guó)科學(xué)家十多人，其中三人入選中組部“千人計(jì)劃”，打造了一個(gè)具有國(guó)際化創(chuàng)新思維的團(tuán)隊(duì)。團(tuán)隊(duì)承擔(dān)了9項(xiàng)國(guó)家863計(jì)劃、6項(xiàng)電子發(fā)展基金項(xiàng)目、以及2項(xiàng)國(guó)家重大產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。
2008年度和2009年度 榮獲 “中國(guó)LED技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)”； 2010年-2012年連續(xù)三年被全球清潔技術(shù)集團(tuán)和英國(guó)衛(wèi)報(bào)共同評(píng)為“全球清潔技術(shù)100強(qiáng)企業(yè)”； 2011年2月，公司被麻省理工學(xué)院《科技創(chuàng)業(yè)》雜志評(píng)為“2011年世界最具創(chuàng)新力公司50強(qiáng)”； 2012年12月，晶能光電“硅襯底氮化鎵基LED材料及大功率芯片技術(shù)”獲得國(guó)家工信部的信息產(chǎn)業(yè)重大技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)； 2012年12月，晶能光電“硅襯底大功率LED芯片量產(chǎn)”被國(guó)際半導(dǎo)體聯(lián)盟ISA評(píng)為“2012年度新聞事件”； 2013年4月，“GaN-On-Si LED外延芯片制備技術(shù)/硅基大功率藍(lán)光芯片”獲得2012中國(guó)LED創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)獎(jiǎng)； 2014年6月，硅襯底GaN基大功率LED芯片榮獲“阿拉丁神燈獎(jiǎng)”十大產(chǎn)品獎(jiǎng)，是目前為止國(guó)內(nèi)唯一獲獎(jiǎng)的LED芯片產(chǎn)品；
