在半導體照明市場深紫外LED等利潤豐厚領域正吸引著眾多業(yè)者目光。昭信半導體繼贏得國產(chǎn)MOCVD技術領先后，正在推進量產(chǎn)型MOCVD設備高溫技術，目標是將量產(chǎn)型MOCVD設備穩(wěn)定工作溫度提高超過1400°C。

　　超越量產(chǎn)型MOCVD設備單一銷售戰(zhàn)略，昭信半導體以技術工程、提供全面解決方案、專業(yè)定制服務為核心，致力于MOCVD設備的自主研制，取得了多項核心技術專利。利用在加熱系統(tǒng)及真空反應系統(tǒng)技術上，多年積累的研制經(jīng)驗，在常規(guī)GaN MOCVD設備技術基礎上，成功開發(fā)出高溫MOCVD設備技術。

　　三年前為中電集團旗下研究所改造了MOCVD設備，目前該設備可長期在1300°C高溫下穩(wěn)定運行。一年前，應在光電材料研究領域處于國內(nèi)領先地位的某高校需求，提供了一臺用于氧化物外延生長的MOCVD設備。該設備利用獨特的結構設計，有效防止了電爐等零件的高溫氧化?？砷L期穩(wěn)定工作在1000°C高溫，為客戶從事氧化物外延提供了更多的研究選擇。也形成了昭信半導體獨特的氧化物CVD設備技術。

　　目前，昭信半導體正在推進量產(chǎn)型MOCVD設備高溫技術，目標是將量產(chǎn)型MOCVD設備穩(wěn)定工作溫度提高超過1400°C。同時，在自主MOCVD設備上展開的AlN工藝研究也進展順利，(002)面XRD小于300arcs，(102)面XRD小于500arcs，所生長的薄膜晶體質量良好。當前深紫外LED是高利市場，但在此領域國內(nèi)尚未獲得有效突破，一個主要原因就是現(xiàn)有MOCVD設備不能滿足紫外產(chǎn)品的工藝運行，無法實現(xiàn)AlN、高摻Al的高質量外延。相信在不久的將來，昭信半導體的高溫MOCVD設備技術，還將有更多新成果展示，將能推動深紫外LED技術的新發(fā)展。