真明麗推出大功率LED—陶瓷覆晶系列XB35 XB50
摘要： 隨著LED照明進(jìn)入市場(chǎng)，高功率LED的散熱問(wèn)題越來(lái)越受到重視，因?yàn)檫^(guò)高的溫度會(huì)導(dǎo)致LED發(fā)光效率降低，并且會(huì)影響產(chǎn)品的生命周期、發(fā)光效率、穩(wěn)定性，甚至對(duì)LED的壽命造成致命性的影響。而研究表明陶瓷基板線路對(duì)位精確度高，并且陶瓷基板具有與晶片有著接近的熱膨脹系數(shù)與高耐熱能力，有效的解決了熱歪斜與高溫制程。
傳統(tǒng)晶片與Flip chip結(jié)構(gòu)對(duì)比
覆晶型(Flip chip)晶片的優(yōu)勢(shì)在于：
1. 晶片出光效率比傳統(tǒng)晶片高;
2. 熱阻低，散熱好，光衰小;
3. 不用Bond Wire，可靠性高;
4. 可大電流驅(qū)動(dòng)與沖擊，高電流狀態(tài)下仍有較好的出光效率
圖五：常規(guī)晶片和覆晶晶片不通電流測(cè)試光通量倍數(shù)變化狀況
第三種制程如下：
此種制程區(qū)別于前兩種制程最大的不同是采用了Flip chip制程，此種制程采取了倒裝結(jié)構(gòu)的晶片，這大大的提高了晶片的出光效率。同時(shí)由于采用了倒裝晶片，這取消了Bond Wire 環(huán)節(jié)消除了LED使用過(guò)程中連接晶片的引線開(kāi)路的風(fēng)險(xiǎn);同時(shí)由于采用的是AuSn共晶制程，這大大的降低了晶片到散熱基板之間的熱阻以及LED工作時(shí)的結(jié)溫Tj，從而提高LED的可靠性以及壽命。
一般而言，LED發(fā)光時(shí)所產(chǎn)生的熱能若無(wú)法導(dǎo)出，將會(huì)使LED結(jié)面溫度過(guò)高，進(jìn)而影響產(chǎn)品生命周期、發(fā)光效率、穩(wěn)定性。
通過(guò)前面的敘述，可知LED封裝的方式與材料搭配對(duì)LED的可靠性與壽命有著密切的聯(lián)系，為了提高產(chǎn)品的可靠性及壽命，真明麗當(dāng)前功率型LED封裝主要采用Ceramic+filp chip模式。
制程工藝如下：
內(nèi)部結(jié)構(gòu)及外觀如圖：
圖六：真明麗ceramic+filp chip產(chǎn)品
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