真明麗推出大功率LED—陶瓷覆晶系列XB35 XB50
摘要： 隨著LED照明進入市場，高功率LED的散熱問題越來越受到重視，因為過高的溫度會導致LED發(fā)光效率降低，并且會影響產(chǎn)品的生命周期、發(fā)光效率、穩(wěn)定性，甚至對LED的壽命造成致命性的影響。而研究表明陶瓷基板線路對位精確度高，并且陶瓷基板具有與晶片有著接近的熱膨脹系數(shù)與高耐熱能力，有效的解決了熱歪斜與高溫制程。
真明麗Ceramic and Flip-chip的光電參數(shù)及可靠性
真明麗目前生產(chǎn)的Ceramic and Flip-chip產(chǎn)品在普朗克黑體軌跡5600K附近、Ra>75時的光效已經(jīng)突破了125lm/W，下表中為一組測試數(shù)據(jù)：
真明麗集團封裝研發(fā)中心一直以來都將LED的可靠性、壽命及穩(wěn)定性作為研究方向，下面為一組有關(guān)真明麗目前Ceramic and Flip-chip產(chǎn)品XB35與國內(nèi)某知名廠家仿流明1W大功率的可靠性、壽命及穩(wěn)定性的測試報告。
真明麗Ceramic and Flip-chip XB35與國內(nèi)某知名廠家仿流明1W大功率在Ta=25℃/350mA 6048hrs老化光衰對比曲線如下圖：
真明麗Ceramic and Flip-chip XB35 與國內(nèi)某知名廠家仿流明1W大功率在Ta=25℃/350mA 6048hrs老化后,電壓變化狀況、光通量保持率、X/Y坐標漂移如下圖示：
真明麗Ceramic and Flip-chip XB35 與國內(nèi)某知名廠家仿流明1W大功率在做可靠性試驗-冷熱沖擊(-40℃30min~100℃30min循環(huán))的結(jié)果對比如下表：
真明麗Ceramic and Flip-chip產(chǎn)品XB35通過與國內(nèi)某知名廠家的當今主流的功率型LED仿流明1W在Ta=25℃/350mA 6048hrs老化后對比結(jié)果得知：真明麗XB35的光輸出維持率仍有97.3%，而仿流明1W僅剩下的58.6%;同時XB35的電壓變化及色漂移現(xiàn)象極小，而仿流明1W電壓變化幅度大、色漂移嚴重。同時Ceramic and Flip-chip產(chǎn)品XB35經(jīng)過冷熱沖擊(-40℃30min~100℃30min循環(huán))500次仍表現(xiàn)完好，而仿流明1W大功率冷熱沖擊不到100次即存在死燈現(xiàn)象，當 500次時基本失效。由上述實驗結(jié)果可知Ceramic and Flip-chip產(chǎn)品在可靠性、壽命及穩(wěn)定性上表現(xiàn)得非常優(yōu)異，從而為此類產(chǎn)品應用于高端照明領(lǐng)域，如商業(yè)照明、市政工程等奠定了堅實的基礎。
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