2014年2月13日，許多終端應(yīng)用——比如IP電話、電機(jī)控制電路、有源鉗位開(kāi)關(guān)和負(fù)載開(kāi)關(guān)–需要以更小的尺寸提供更高的能效，以便滿足制造商的要求。飛兆半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)了FDMC86xxxP系列P溝道PowerTrench® MOSFET，在尺寸減小的同時(shí)可實(shí)現(xiàn)卓越的開(kāi)關(guān)速度和功耗性能。

　　該系列包括FDMC86261P 150 V和FDMC86139P 100 V P溝道MOSFET。與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的器件相比，這類P溝道MOSFET具有更好的開(kāi)關(guān)性能品質(zhì)因數(shù)(FOM)，比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手提供的最佳器件還要高出67%。此外，其導(dǎo)通損耗減小了46%，開(kāi)關(guān)損耗減小了38%。因此，設(shè)計(jì)人員能夠縮小尺寸并提高系統(tǒng)整體性能。

　　相比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手提供的5mmx6mm封裝解決方案，該系列器件采用3mmx3mm MLP封裝，可節(jié)省電路板空間。此外，F(xiàn)DMC86xxxP系列可滿足客戶對(duì)于耗散更少功率實(shí)現(xiàn)更高能效的更低熱特性需求。該器件還具有同尺寸器件中最低的導(dǎo)通電阻RDS(ON)。

　　飛兆半導(dǎo)體低壓產(chǎn)品營(yíng)銷總監(jiān)Mike Speed表示：“眾所周知，傳統(tǒng)產(chǎn)品因功耗高而效率低下，不適用于如今的電源和電機(jī)控制電路。客戶如果轉(zhuǎn)而采用FDMC86xxxP系列器件，那么在其應(yīng)用中就能使功耗降低多達(dá)50%，從而提升系統(tǒng)整體性能，并降低其終端產(chǎn)品中的能耗，有助于節(jié)省全球資源。”