高價(jià)格GaN襯底實(shí)現(xiàn)高性能
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上傳人：Tom 上傳時(shí)間： 2004-07-14 瀏覽次數(shù)： 112 |
據(jù)Strategies Unlimited調(diào)查，2003年GaN的市場價(jià)值為13.5億美元，2007年估計(jì)為45億美元，其中GaN基LEDs為40億美元;Laser市場約占4億美元;其它電子器件為1.29億美元。
和GaAs等材料不同，GaN材料通常是生長在異質(zhì)襯底，例如藍(lán)寶石(Al2O3) 和 SiC上面的，這樣不僅造成成本的增加，并且在異質(zhì)襯底上由于晶格，熱膨脹系數(shù)的差異使晶體產(chǎn)生高密度缺陷，導(dǎo)致器件性能變差。而傳統(tǒng)的體材料生長方法，例如Czochralski 和Bridgeman技術(shù)都不適用于GaN生長。
目前，Cree、Kyma、TopGaN和Sumitomo Electric等少數(shù)公司利用氣相外延的方法生長GaN襯底。但是Wafer尺寸小，而且價(jià)格昂貴，看起來目前LEDs等器件工藝還是在藍(lán)寶石上進(jìn)行。
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