樹脂的熱膨脹系數(shù)平均約為65×10-6m/cm/℃;,比對封裝樹脂中的金屬埋人件的熱膨脹系數(shù)大很多。半導體所用的框架(LEAD FRAME)與環(huán)氧樹脂相差甚遠。若以純樹脂來封裝半導體元件,由于彼此間熱膨脹系數(shù)的差異及元件工作時所產(chǎn)生的熱,將會產(chǎn)生內(nèi)應力及熱應力而造成封裝材料的龜裂。因此加入塑粉中的填充料,除了要能減少樹脂與金屬埋入件間的熱膨脹系數(shù)外,也要具有良好的導熱功能。

　　化硅粉末可分成結(jié)晶性二氧化硅及熔融二氧化硅。結(jié)晶性二氧化磚具有較佳的導熱性但熱膨脹系數(shù)較大,對熱沖擊的抵抗性差。熔融二氧化硅的導熱性質(zhì)較差,但卻擁有較小的熱膨脹系數(shù),對熱沖擊的抵抗性較佳。表2是熔融性與結(jié)晶性二氧化硅充填的環(huán)氧樹脂膠粉的性質(zhì)比較,可看出熔融性二氧化硅除了導熱性質(zhì)較差外,撓曲強度及耐濕性均低于結(jié)晶性二氧化硅。

　　此外,填充料用量的多少以及粒子的大孝形狀、粒度分布等對于塑粉在移送成形(ransfermolding)時的流動性,以及封裝后成品的電氣性質(zhì)均會造成影響,這些因素在選用填充料時均要加以考慮。