GaN的極性特征、測量及應用
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上傳人：劉寶林 上傳時間： 2011-04-23 瀏覽次數(shù)： 221 |
| 作者 | 劉寶林 |
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| 單位 | 廈門大學物理系 |
| 分類號 | TN304.23 |
| 發(fā)表刊物 | 《半導體光電》 |
| 發(fā)布時間 | 未知 |
1 引言
GaN基材料由于其較寬的帶隙 ,具有特殊的物理和化學性質(zhì) ,最近幾年由于材料生長技術(shù)的突破而受到學術(shù)和產(chǎn)業(yè)界的廣泛重視。GaN基材料屬于Ⅲ Ⅴ族半導體 ,有許多與傳統(tǒng)的Ⅲ Ⅴ族半導體相似的性質(zhì) ,但由于它與我們常用的GaAs基和InP基等材料的閃鋅礦結(jié)構(gòu) ……
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