1、GaN基LED和激光器結(jié)構(gòu)的MOCVD生長(zhǎng)

　　金屬有機(jī)化學(xué)汽相沉積是生產(chǎn)氮化物基微電子器件和光電子器件最重要的方法。高亮度白光LED要替代白熾燈，其單位流明光輸出的價(jià)格必須大幅下降。要達(dá)到這個(gè)目的，就要更好的理解GaN的生長(zhǎng)過(guò)程和生長(zhǎng)重要性。而且，批量LED生產(chǎn)需要具有可靠的在位過(guò)程控制的多片生產(chǎn)設(shè)備。對(duì)于全球的LED生產(chǎn)商來(lái)說(shuō)，重要的任務(wù)之一便是生產(chǎn)成品率的優(yōu)化。因此，外延片徑向上的波長(zhǎng)一致性的改善是至關(guān)重要的。

　　對(duì)于藍(lán)光和白光LED來(lái)說(shuō)，因?yàn)镚aN襯底的價(jià)格一直比較昂貴，所以(Al、In、Ga)N之類(lèi)的薄膜通常生長(zhǎng)在藍(lán)寶石或者碳化硅這種異質(zhì)襯底上。由于在襯底和外延層存在晶格失配和熱膨脹系數(shù)不同等問(wèn)題，氮化物生長(zhǎng)過(guò)程中會(huì)引起應(yīng)力積累，造成很大的晶片彎曲。

　　在生長(zhǎng)過(guò)程中晶片玩去導(dǎo)致的一個(gè)重要影響是晶片和襯底支架間熱接觸的變化。這對(duì)于含In化合物尤其重要。因?yàn)樵贛OCVD生長(zhǎng)中In組分對(duì)溫度非常敏感，這就意味著生長(zhǎng)過(guò)程中的彎曲會(huì)引起器件有源區(qū)的不均勻。

　　因此，為了優(yōu)化生產(chǎn)工藝，了解在位檢測(cè)在不同生長(zhǎng)溫度下的晶格失配和熱膨脹系數(shù)差異對(duì)總應(yīng)力的影響是非常重要的。

　　2、如何消除彎曲

　　在藍(lán)光和綠光波長(zhǎng)范圍內(nèi)，器件的有源區(qū)由InGaN多量子阱構(gòu)成。在InGaN生長(zhǎng)環(huán)境下，減少晶片的彎曲可以直接改善組分的均勻性和光電器件的產(chǎn)率。本文通過(guò)實(shí)驗(yàn)，仔細(xì)研究了襯底特性、生長(zhǎng)溫度和應(yīng)變補(bǔ)償層對(duì)晶片彎曲的影響。以改善光輸出的均勻性。