5、尾部成長（Tail Growth）

　　當晶體成長到固定（需要）的長度后，晶棒的直徑必須逐漸地縮小，直到與液面分開，此乃避免因熱應力造成排差與滑移面現(xiàn)象。

　　切割：

　　晶棒長成以后就可以把它切割成一片一片的，也就是外延片。芯片，圓片，是半導體元件"芯片"或"芯片"的基材，從拉伸長出的高純度硅元素晶柱（Crystal Ingot）上，所切下之圓形薄片稱為外延片（外延片）。

　　磊晶：

　　砷化鎵磊晶依制程的不同，可分為LPE（液相磊晶）、MOCVD（有機金屬氣相磊晶）及MBE（分子束磊晶）。LPE的技術較低，主要用于一般的發(fā)光二極體，而MBE的技術層次較高，容易成長極薄的磊晶，且純度高，平整性好，但量產能力低，磊晶成長速度慢。MOCVD除了純度高，平整性好外，量產能力及磊晶成長速度亦較MBE為快，所以現(xiàn)在大都以MOCVD來生產。

　　其過程首先是將GaAs襯底放入昂貴的有機化學汽相沉積爐（簡MOCVD,又稱外延爐），再通入III、II族金屬元素的烷基化合物（甲基或乙基化物）蒸氣與非金屬（V或VI族元素）的氫化物（或烷基物）氣體，在高溫下，發(fā)生熱解反應，生成III-V或II-VI族化合物沉積在襯底上，生長出一層厚度僅幾微米（1毫米=1000微米）的化合物半導體外延層。長有外延層的GaAs片也就是常稱的外延片。外延片經芯片加工后，通電就能發(fā)出顏色很純的單色光，如紅色、黃色等。不同的材料、不同的生長條件以及不同的外延層結構都可以改變發(fā)光的顏色和亮度。其實，在幾微米厚的外延層中，真正發(fā)光的也僅是其中的幾百納米（1微米=1000納米）厚的量子阱結構。

　　反應式：Ga（CH3）3+PH3=GaP+3CH4